一、競(jìng)爭(zhēng)方向轉(zhuǎn)變

    凈化工程由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)變?yōu)閮r(jià)值競(jìng)爭(zhēng)。隨著電子產(chǎn)品的集成化、密化、微型化、功能化等趨勢(shì)，對(duì)元器件的可靠性要求越來(lái)越高，電子信息制造業(yè)對(duì)潔凈室的要求標(biāo)準(zhǔn)也更加嚴(yán)格。微量的臟污或微弱的靜電都有可能造成元器件產(chǎn)品良品率的大幅降低，直接影響公司的效益。目前硬盤(pán)磁頭的靜電壓閾值已經(jīng)下降到3V以內(nèi)，部分IC的封裝環(huán)境要求達(dá)到Class10，甚至Class1的水平。

    電子信息行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和高性能要求促使凈化工程行業(yè)企業(yè)由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，只有具備技術(shù)研發(fā)、自主創(chuàng)新能力的企業(yè)才能滿足客戶需求而持續(xù)發(fā)展，才能設(shè)計(jì)和建造符合要求的高端的潔凈室，相關(guān)技術(shù)和服務(wù)能力的提升將成為未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。

    二、節(jié)能化成為潔凈工程重要目標(biāo)

    潔凈廠房是我國(guó)的耗能大戶之一，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，凈化工程的能耗是一般寫(xiě)字樓的10~30倍。我國(guó)的8英寸芯片廠，潔凈室單位面積能耗比美國(guó)同型工廠高15%。美國(guó)耗能1.28kW/m2~1.63kW/m2，而中國(guó)耗能1.48kW/m2~1.93kW/m2。

    以上海某知名芯片廠為例，其全年耗電量51%是用于凈化工程運(yùn)行及相關(guān)的維護(hù)，如果將51%的能耗合理降低，對(duì)企業(yè)來(lái)說(shuō)就意味著利潤(rùn)的增長(zhǎng)。因此，潔凈室下游相關(guān)行業(yè)企業(yè)越來(lái)越重視潔凈室的節(jié)能問(wèn)題。這就要求凈化工程行業(yè)的設(shè)計(jì)和施工企業(yè)，從客戶需求出發(fā)，從設(shè)計(jì)理念、建造施工、設(shè)備配備及運(yùn)行等各個(gè)方面進(jìn)行節(jié)能設(shè)計(jì)，只有采取全方位的節(jié)能技術(shù)，整個(gè)潔凈工程行業(yè)才能持續(xù)、良性發(fā)展。

    三、高端潔凈技術(shù)方向發(fā)展

    空氣分子污染（AirborneMolecularContaminants，AMC）作為IC工廠所關(guān)心的問(wèn)題于20年前最先由日本人提出，近年來(lái)，世界IC技術(shù)發(fā)展迅速，IC芯片日益微型化。AMC對(duì)當(dāng)前的IC生產(chǎn)其潛在的污染比粒子污染要廣泛多，粒子污染控制只需要確定粒徑及個(gè)數(shù)，但對(duì)AMC控制而言，除了受芯片線寬的縮小而變化外，并受工藝、工藝設(shè)備、工藝材料及傳送系統(tǒng)等的影響。更有甚者用于某一工序的各種工藝材料（化學(xué)品、特種氣體等）在很多情況下其微量的分子殘余對(duì)下一工序往往可能就是污染物。

    因此，IC生產(chǎn)過(guò)程中的某些加工工序及工序間的材料傳送和存放環(huán)境中，AMC已成為嚴(yán)重影響成品率的重要問(wèn)題，AMC分子控制技術(shù)成為凈化工程設(shè)計(jì)與施工建設(shè)的主流趨勢(shì)。